规格书 |
|
安装风格 |
SMD/SMT |
配置 |
Single |
晶体管极性 |
P-Channel |
源极击穿电压 |
+/- 20 V |
连续漏极电流 |
- 2.9 A |
系列 |
BSP613 |
封装/外壳 |
PG-SOT-223 |
RDS(ON) |
110 mOhms |
封装 |
Reel |
功率耗散 |
1.8 W |
最低工作温度 |
- 55 C |
正向跨导 - 闵 |
2.7 S |
栅极电荷Qg |
22 nC |
典型关闭延迟时间 |
26 ns |
零件号别名 |
SP001058788 |
上升时间 |
9 ns |
最高工作温度 |
+ 150 C |
漏源击穿电压 |
- 60 V |
RoHS |
RoHS Compliant |
下降时间 |
7 ns |
工厂包装数量 |
1000 |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage |
- 60 V |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage |
- 4 V |
宽度 |
3.5 mm |
Qg - Gate Charge |
33 nC |
Vgs - Gate-Source Voltage |
+/- 20 V |
品牌 |
Infineon Technologies |
通道数 |
1 Channel |
晶体管类型 |
1 P-Channel |
Id - Continuous Drain Current |
- 2.9 A |
长度 |
6.5 mm |
Rds On - Drain-Source Resistance |
110 mOhms |
通道模式 |
Enhancement |
身高 |
1.6 mm |
典型导通延迟时间 |
6.7 ns |
Pd - Power Dissipation |
1.8 W |
技术 |
Si |